#AI 記憶體
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【0930台股盤前｜外資轉保守，AI供應鏈回歸業績驗證】

台股連假後首日補跌392點、收47,631點，失守48,000點與5日線。美國10年期公債殖利率升破5.2%，加上油價走高，使高估值科技股承受壓力；外資現貨賣超632億元、期貨淨空單增至近7.9萬口，顯示短線態度轉趨保守。48,000點已由支撐轉為反壓，後續須觀察賣壓能否隨成交量收斂。 產業面可聚焦三條主線： 第一，AI伺服器與高階PCB。臻鼎-KY伺服器、光模組及IC載板業務合計營收年增逾三倍，1.6T高速光模組已量產、3.2T產品進入開發打樣。8月營收首度突破200億元，第二季EPS年增約295%，顯示AI需求已逐步反映於營收與獲利，而不只是題材。後續觀察重點為新產能投產進度、產品組合及毛利率能否同步改善。 第二，先進製程與AI伺服器組裝。台積電2奈米訂單與產能規劃持續提前，市場預估2026至2028年產能維持高速成長；鴻海AI伺服器機櫃及CPO交換器陸續放量，新機種交付時程亦具優勢。兩家公司在大盤下跌時仍守住平盤，反映核心AI供應鏈仍有基本面承接。
台股#台股#台積電#聯發科
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【0929台股盤前｜成熟製程滿載，記憶體迎財報驗證】

台股上週站穩48,000點，週線連二紅、全週上漲843點，三大法人合計買超1,031億元。不過指數與月、季線的正乖離逐步擴大，融資餘額重返6,000億元，加上連假前外資單日轉賣超338億元，顯示中長線資金仍在場內，但短線追價風險已經升高。 本週總經焦點集中在9月30日公布的美國核心PCE，以及後續ISM製造業與非農就業數據，將影響市場對Fed利率路徑的判斷。川習會後市場暫以正向解讀，但仍須持續追蹤關稅、科技管制與供應鏈政策是否真正落地。 產業面有三條主線值得關注： 第一，成熟製程供給吃緊。世界先進指出，AI需求正排擠半導體產能，8吋產能利用率已接近滿載。這代表成熟製程行情不只是題材輪動，而是電源管理、類比與混合訊號晶片需求增加，供給端又缺乏快速擴產空間，報價與稼動率具備基本面支撐。
台股#台股#台積電#LED
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最強中國國產AI晶片！平頭哥真武V900發佈：性能提升200%！

9月22日，在2026杭州雲棲大會上，平頭哥發佈新一代訓推一體AI晶片真武V900，性能是真武M890的三倍，即提升了200%，這是目前算力性能最強的中國自研AI晶片，可滿足兆級參數大模型的訓練和推理需求。該晶片將於2027年第一季度量產售賣。 真武V900基於自研平行計算架構設計，搭載216GB大容量視訊記憶體，片間互聯頻寬達1200GB/s，單晶片性能是真武M890的3倍。該晶片原生支援FP8、FP4低精度計算，在大幅提升算力密度的同時顯著降低推理成本，可應用於高精度訓練、低精度和超低精度推理的全場景。 針對兆級參數大模型的訓練和推理場景，真武V900與平頭哥自研網路、記憶體晶片可實現系統級最佳化。真武V900通過自研ICN Switch互聯晶片連接後的超節點，具備原生記憶體語義和記憶體統一編址能力，可實現千卡全頻寬高速互聯。這意味著上千顆真武V900能像一顆“超級晶片"一樣協同工作，為超大參數模型的訓練和推理提供高吞吐、低延遲、高並行的算力。 大會現場，阿里發佈全新升級的超節點伺服器，內建真武V900、ICN Switch、磐脈智能網路卡及鎮岳SSD主控晶片，實現算、存、網全端系統級協同，通過阿里雲全新設計的智算中心網路架構，單一叢集可擴展至50萬卡規模。據悉，基於真武M890的超節點已大規模應用，並跑通了Qwen3.8、Kimi K3等超2兆參數規模模型。
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科技#AI晶片#真武V900#大模型
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🎯中秋要變盤？量價背離＝漲假的？小心大陷阱！ Line@連結： https://lin.ee/mua8YUP ⭕️最近很多人在怕：
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記憶體持續漲價被懟“不實”！

在AI引爆記憶體超周期記憶體價格節節攀升之際，市場的主流判斷是記憶體漲價會持續到2027年甚至更久。 但據媒體報導，中國台灣PC及IT硬體廠商宏碁（Acer）董事長陳俊聖駁斥了“三大記憶體廠商”關於記憶體價格將持續上漲至202X年的說法，直言這種說法並不真實。 他特別指出，記憶體廠商之所以不斷對外表示“價格上漲趨勢將持續到2027年”，是因為受到反壟斷法規限制，廠商不能直接協調價格，因此只能通過公開發表言論的方式，向彼此釋放某種“訊號”。 陳俊聖表示，自己在這個行業做了這麼多年，一看就知道其中的門道。
記憶體持續漲價被懟“不實”！
科技#記憶體漲價#AI儲存超週期#反壟斷法
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瑞銀：上調AI資本支出預測2026年逼近兆美元！九成增量來自記憶體漲價！

UBS最新報告預測：2026年全球AI資本支出總額將達9980億美元，較2025年的5060億美元幾乎翻倍。2027年這一數字將進一步升至1.447兆美元。大幅上調的主要源於記憶體價格的快速攀升。 一、核心發現：AI資本支出的“質變”而非“量增” 瑞銀（UBS）2026年9月18日發佈的最新報告，將2026年全球AI資本支出預測大幅上修至9980億美元，較2025年的5060億美元幾乎翻倍；2027年將進一步升至1.447兆美元。但這一上修的核心驅動力並非市場通常理解的“AI基礎設施大規模擴張”，而是一個被嚴重低估的結構性變數： 記憶體價格上漲貢獻了2025-2027年間AI資本支出增量的約90%。
瑞銀：上調AI資本支出預測2026年逼近兆美元！九成增量來自記憶體漲價！
科技#瑞銀#AI資本支出#記憶體漲價
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HBM之後，HBF來了：3D NAND+TSV+UCIe，512GiB與3.072TB/s重構AI記憶體架構！

🔷不取代HBM，而是擴展HBM：高頻寬Flash將TB級容量進一步推向xPU身邊 🔷模型權重、KV Cache與MoE成為關鍵場景，AI記憶體層級迎來重新劃分 隨著大模型參數規模持續膨脹、Context Length不斷拉長，AI晶片面臨的挑戰已經不只是“算力夠不夠”，Memory Wall正在成為制約GPU/TPU/xPU繼續擴展的重要瓶頸。HBM雖然擁有極高頻寬，但容量擴展壓力越來越突出；傳統NAND容量足夠大，卻又很難滿足AI計算對近端高頻寬資料訪問的需求。正是在這樣的背景下，High Bandwidth Flash（HBF）開始走向台前——它試圖把Flash從傳統記憶體層直接搬到xPU身邊，在HBM與SSD之間建立一個全新的高頻寬、大容量Memory Tier。 這次，小編就帶大家詳細看看這份HBF High-Level Base Die Specification。從3D NAND Stack、Base Die、TSV，到16通道Wide-I/O、UCIe/AXI互連，再到512GiB+容量與最高3.072TB/s目標有效頻寬，HBF正在嘗試用“高平行NAND+先進封裝+Chiplet互連”重新定義Flash的性能邊界。
HBM之後，HBF來了：3D NAND+TSV+UCIe，512GiB與3.072TB/s重構AI記憶體架構！
科技#HBM#HBF#3D NAND
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長鑫記憶體據報進軍快閃記憶體市場，將挑起與三星、長江儲存的競爭

路透援引三位知情人士透露，長鑫記憶體正準備進入由三星電子等外國競爭對手主導的處於爆發期的快閃記憶體晶片市場。在全球記憶體晶片短缺的大背景下，此舉將進一步擴大其客戶群體。這也意味著，這家動態隨機存取記憶體器(DRAM)晶片領域的專家將與國內競爭對手長江記憶體展開正面交鋒，正式跨入半導體行業增長最為迅速的細分領域之一。 人工智慧伺服器的強勁需求導致了全球記憶體晶片短缺，行業高管普遍認為這一現象將至少持續至2027年。SK海力士CEO在7月份表示，從供應角度來看，2027年可能會是該行業最為嚴峻的一年；而集邦諮詢(TrendForce)則預計，NAND快閃記憶體的供應緊張狀況要到明年下半年才有可能有所緩解。 兩位知情人士透露，長鑫記憶體計畫在其位於北京的新廠房內建立一條NAND快閃記憶體研發生產線。另有一位知情人士表示，該公司還在北京設立了一家研究院，其中的研究項目就包括NAND快閃記憶體的開發。第三位知情人士透露，長鑫記憶體已與其客戶討論了NAND快閃記憶體發展計畫，其中包括一家新成立的初創公司，該公司打算採購長鑫記憶體的NAND晶片，用於AI系統及超級電腦所需的記憶體產品中。不過，該知情人士拒絕透漏這家初創公司的名稱。目前尚不清楚該研發生產線將於何時投入運行，也不清楚長鑫記憶體是否打算從研發和試產逐步過渡到大規模的商業化量產。 根據研究機構集邦諮詢的資料，按營收計算，三星電子在第二季度是全球最大的NAND快閃記憶體供應商，市場份額達到29.3%。SK海力士排名第二，緊隨其後的是美國的美光科技。 (格隆匯電報)
科技#長鑫科技#快閃記憶體#三星電子